高壓(ya)試驗(yan)變壓(ya)器工作原理

高壓試驗變(bian)壓器為單相變壓器，連結組I. I. 用工頻220V（10KVA以上為380V）電源接入∕XC∕TC（為本公司生產的試驗變壓器專用設備，詳細資料請見其具體使用說明書）系列操作箱（臺），經操作箱內自耦調壓器（50KVA以上調壓器外附）調節至0-200V（或0-400V）電壓輸出至YDJ-（G）、TDM（G）試驗變壓器的初組繞組，根據電磁感應原理，在試驗變壓器高壓繞組可獲得試驗所需的高電壓。

1、單臺(tai)YDJ-（G）試驗壓器的工(gong)作原(yuan)理圖(tu)見圖(tu)3

圖3：單臺YDJ-（G）試驗變壓器(qi)原理(li)圖

2、單(dan)臺TDM（G）試驗變(bian)壓(ya)(ya)器(qi)的工作原理圖(tu)見圖(tu)4，圖(tu)中(zhong)(zhong)高(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)套(tao)管(guan)中(zhong)(zhong)裝有高(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)硅堆，串接(jie)在高(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)回路中(zhong)(zhong)作半波整(zheng)流，以獲得直流高(gao)(gao)(gao)電壓(ya)(ya)。當用(yong)一短(duan)路桿(gan)將高(gao)(gao)(gao)壓(ya)(ya)硅堆短(duan)接(jie)時，可獲得工頻(pin)高(gao)(gao)(gao)電壓(ya)(ya)，作為交流輸出狀態；取消短(duan)路桿(gan)時，作為直流輸出狀態。

圖4：單臺(tai)TDM（G）試驗變壓器原(yuan)理圖

圖中(zhong)：D – 短路桿   VD – 高壓硅堆

1、 三臺試驗變(bian)壓器串級獲得(de)更高電壓的結線原理見圖(tu)5。串級(ji)高(gao)壓(ya)試(shi)驗(yan)(yan)變(bian)壓(ya)器(qi)(qi)有很(hen)大(da)的優越性，因為整個(ge)(ge)試(shi)驗(yan)(yan)裝置(zhi)由幾(ji)(ji)臺(tai)單(dan)臺(tai)試(shi)驗(yan)(yan)變(bian)壓(ya)器(qi)(qi)組成(cheng)(cheng)，單(dan)臺(tai)試(shi)驗(yan)(yan)變(bian)壓(ya)器(qi)(qi)容量(liang)小、電壓(ya)低、重量(liang)輕，便于運輸和(he)安裝。它既然可串接(jie)成(cheng)(cheng)高(gao)出幾(ji)(ji)倍的單(dan)臺(tai)試(shi)驗(yan)(yan)變(bian)壓(ya)器(qi)(qi)輸出電壓(ya)組合使用，又(you)可分開成(cheng)(cheng)幾(ji)(ji)套單(dan)臺(tai)試(shi)驗(yan)(yan)變(bian)壓(ya)器(qi)(qi)單(dan)獨使用。整套裝置(zhi)投(tou)資小，經濟實(shi)惠。圖5中，在(zai)第一(yi)級(ji)和(he)第二級(ji)的每個(ge)(ge)單(dan)元試(shi)驗(yan)(yan)變(bian)壓(ya)器(qi)(qi)中都有一(yi)個(ge)(ge)勵磁繞組A1、C1和A2、C2。在串級試驗變(bian)器(qi)基(ji)本原理圖中(zhong)，低壓電源加在試驗變(bian)壓器(qi)I的初級繞(rao)組a1x1上(shang)，單(dan)臺試(shi)驗(yan)變壓Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ的輸出電(dian)壓都是(shi)V。勵(li)磁繞(rao)組A1、C1給第二級(ji)試(shi)驗變壓器(qi)Ⅱ的初級繞組供電；第二(er)級試(shi)驗(yan)變壓器Ⅱ的勵磁(ci)繞組A2、C2給第三級試驗變壓器Ⅲ的(de)初級(ji)(ji)繞組供電。第(di)二級(ji)(ji)試(shi)驗(yan)變壓(ya)器(qi)Ⅱ和第(di)三(san)級(ji)(ji)試(shi)驗(yan)變壓(ya)器(qi)Ⅲ的(de)箱體分別(bie)(bie)處在對地(di)(di)為1V和2V的(de)高電位上，所(suo)以(yi)箱體對地(di)(di)是(shi)(shi)絕緣(yuan)的(de)，試(shi)驗(yan)變壓(ya)器(qi)I的(de)箱體是(shi)(shi)接地(di)(di)的(de)。這(zhe)樣第(di)一級(ji)(ji)、第(di)二級(ji)(ji)、第(di)三(san)試(shi)驗(yan)變壓(ya)器(qi)對地(di)(di)的(de)額定輸出電壓(ya)分別(bie)(bie)為1V、2V、3V；其(qi)額定容量分別(bie)(bie)為3P、2P、1P。

圖(tu)5：三臺試驗變壓器(qi)串級接線原理(li)圖

圖中(zhong)：P - 容(rong)量（KVA）  V – 電(dian)壓（KV）  G1、G1 – 絕緣支架(jia)

TDM（G）試驗變壓(ya)器(qi)高壓(ya)套管中的高壓(ya)硅堆未畫出，其原理與上(shang)圖相(xiang)同。